Kod przedmiotu |
02 24 4635 00 |
Liczba punktów ECTS |
3 |
Nazwa przedmiotu w języku prowadzenia |
Przyrządy półprzewodnikowe mocy |
Nazwa przedmiotu w języku polskim |
Przyrządy półprzewodnikowe mocy |
Nazwa przedmiotu w języku angielskim |
Power Semiconductor Devices |
Język prowadzenia zajęć |
polski |
Poziom studiów |
studia I stopnia |
Kierownik przedmiotu |
prof. dr hab. inż. Andrzej Napieralski |
Realizatorzy przedmiotu |
|
Formy zajęć i liczba godzin w semestrze |
|
Wykład |
Ćwiczenia |
Laboratorium |
Projekt |
Seminarium |
Inne |
Suma godzin w semestrze |
Godziny kontaktowe |
6 |
|
9 |
|
|
0 |
15 |
Czy e-learning |
Nie |
Nie |
Nie |
Nie |
Nie |
Nie |
|
Kryteria oceny (waga) |
0,00 |
|
0,00 |
|
|
0,00 |
|
|
Cel przedmiotu |
- Wprowadzenie do elektroniki mocy (energoelektroniki): zapoznanie z przyrządami półprzewodnikowymi mocy jako elementami elektronicznych układów przetwarzania energii (przekształtników) typu przełączającego.
|
Efekty kształcenia |
- Student uzasadnia istotność sprawności jako parametru przekształtników oraz poszczególnych parametrów przyrządu półprzewodnikowego jako łącznika. (M1A_W08)
- Student wiąże działanie najczęściej stosowanych przyrządów półprzewodnikowych mocy z ich budową i fizyką zjawisk. (M1A_W02; M1A_W08)
- Student ocenia i porównuje poszczególne przyrządy półprzewodnikowe mocy pod kątem zastosowania w różnych obszarach, w powiązaniu z właściwościami tych przyrządów. (M1A_W08; M1A_U1)
- Student wyjaśnia ograniczenia związane z bezpieczną pracą przyrządu półprzewodnikowego mocy. (M1A_W08)
- Student oblicza układ chłodzenia przyrządu półprzewodnikowego korzystając z jego dokumentacji technicznej. (M1A_W08; M1A_U3; M1A_U5; M1A_U7)
- Student mierzy, wyznacza lub oblicza parametry przyrządów półprzewodnikowych mocy: przebiegi napięć, prądów i mocy chwilowej, czasy przełączania i energię wydzielaną podczas przełączania, moc czynną strat. (M1A_W06; M1A_U9)
|
Metody weryfikacji efektów kształcenia |
1) kolokwium pisemne
2) sprawozdanie, kolokwium pisemne
3) sprawozdanie, kolokwium pisemne
4) kolokwium pisemne
5) zadanie, sprawozdanie, kolokwium pisemne
6) doświadczenie, sprawozdanie, kolokwium pisemne
|
Wymagania wstępne |
Wstęp do elektroniki, Podstawy elektrotechniki, Metrologia elektryczna i elektroniczna |
Treści kształcenia z podziałem na formy |
WYKŁAD
1. Układy przetwarzania energii elektrycznej: elementy, praca ciągła i przełączana, parametry. Rola przyrządów półprzewodnikowych mocy: klucz półprzewodnikowy idealny i rzeczywisty, stany pracy, parametry.
2. Fizyczne podstawy działania przyrządów półprzewodnikowych mocy: blokowanie napięcia i przebicie, mechanizmy przewodzenia prądu, stany dynamiczne.
3. Budowa i działanie przyrządów półprzewodnikowych mocy – diody PIN i Schottky’ego, tranzystory bipolarne, tranzystory polowe z izolowaną bramką, tranzystory bipolarne z izolowaną bramką: specyfika budowy i działania struktur o wysokiej wytrzymałości napięciowej i prądowej; właściwości, parametry i charakterystyki statyczne i dynamiczne.
4. Niezawodne użytkowanie przyrządów półprzewodnikowych mocy: obszar bezpiecznej pracy; wpływ temperatury na działanie przyrządu, straty mocy, podstawy projektowania prostych torów chłodzenia, radiatory.
LABORATORIUM
Zajęcia laboratoryjne obejmują 4 2-godzinne ćwiczenia o charakterze doświadczalnym, symulacyjnym lub projektowo-obliczeniowym.
Treści kształcenia podane dla wykładu są wspólne dla obu form kształcenia, przy czym nie wszystkie są realizowane w obu formach. |
Literatura podstawowa |
- Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, 1995. ISBN 83-204-1817-8.
- Benda V., Gowar J., Grant D. A.: Power Semiconductor Devices: Theory and Applications. Wiley, 1999. ISBN 0-471-97644-X.
|
Literatura uzupełniająca |
- Barlik R., Nowak M.: Poradnik inżyniera energoelektronika. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, 1998. ISBN 83-204-2223-X.
|
Przeciętne obciążenie godzinowe studenta pracą własną |
75 |
Uwagi |
Wykład w pierwszej części semestru; laboratorium w drugiej części semestru. |
Aktualizacja |
2017-12-19 09:34:02 |